从RAM而不是flash运行代码块

作者: Innate Mind
发布时间: 2024-08-09 07:20:52 (11天前)
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回忆氵独奏♪ | 2019-08-31 10-32

<div class =“post-text”itemprop =“text”> 这看起来像旧的恩智浦（前飞思卡尔/摩托罗拉）HCS08，HCS12或Coldfire。在这些设备上，编写闪存驱动程序时有不同的情况：要么可以从闪存执行，要么不能。这完全取决于程序闪存属于哪个“库”：通常，您无法从当前正在编程的同一闪存库中执行MCU上的代码。 理想情况下，您将闪存编程代码放在另一个库中，但有些设备只有一个闪存库。然后，他们通过执行RAM中的代码来提供解决方案，这是一种快速和简单的方法。脏修复。 通常他们通过提供一系列原始数据操作码来解决这个问题。这个操作码数组被复制到RAM，然后它们设置一个指向RAM地址的函数指针。我猜测 <code> fnRAM_code </code> 就是这样一个函数指针。该 <code> (volatile unsigned char *)FLASH_STATUS_REGISTER </code> 部分只是传递闪存状态寄存器的地址。可能，FLASH_STATUS_REGISTER与FSTAT同义。 该 <code> uDisable_Interrupt(); </code> 和 <code> uEnable_Interrupt(); </code> 应该对应 <code> asm SEI </code> 和 <code> asm CLI </code> 分别阻止所有可屏蔽中断在闪存写入期间触发，这可能导致写入失败或程序挂起。 应该有应用笔记可以详细描述所有这些。 请注意，此代码非常接近硬件，并依赖于大量定义不明确的行为。除了Codewarrior编译器之外，我不会指望它按预期编译。例如，gcc会发出许多严格的别名错误。 </DIV>

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