半导体量子电子器件物理1


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2025-03-13
器件 量子 半导体 晶体管 工作 物理 介绍 原理 结构 振隧穿
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半导体量子电子器件物理
前 言
近年来,随着半导体低维结构的生长技术的不断完善和半导体低维结构研究
的不断深入,大量的新型半导体器件原型被提出和实现。这些器件的工作原理
与已往的传统器件有所不同。大多数器件的工作原理与电子的量子特性有关。
我们把它们称为半导体量子器件。为了帮助大家了解这些器件的工作原理,我
们在研究生院开设了“半导体量子器件物理”的课程。今年起这门课分成两门:
“半导体量子光电子器件物理”和“半导体量子电子器件物理” 。本课程主要介
绍与电学有关的半导体量子电子器件的工作原理、结构与特性,课程分两部分,
第一部分是目前已经比较成熟的半导体量子器件的介绍。包括高电子迁移率晶
体管(HEMT)和异质结双极晶体管( HBT) 。由王良臣老师介绍。第二部分是相
对来说还处在原型器件研究阶段的量子电子器件如共振隧穿器件、量子干涉器
件、单电子器件等,由李国华老师介绍。希望这些介绍可以为你们今后的研究
工作提供一定的帮助。
本课程一共 40课时,两部分分别占 20 课时(6次)。最后有一个闭卷考试。
目 录
第一章:半导体超晶格的一些基本特性
1.1 半导体量子阱超晶格
1.2 电场下的量子阱
1.3 磁场下的超晶格
第二章:双势垒共振隧穿二极管
2.1 隧穿几率的计算
2.2 双势垒共振隧穿二极管的基本工作原理
2.3 磁场对共振隧穿的影响
第三章:共振隧穿器件及其电路应用
3.1 共振隧穿二极管的集成
3.2 共振隧穿双极晶体管
3.3 共振隧穿单极晶体管
3.4 微波和毫米波共振隧穿器件
第四章:热电子和弹道器件
4.1 隧道热电子输运放大器
4.2 共振隧穿热电子晶体管
第五章:量子干涉器件
5.1 超微结构中的 Landauer-Büttiker 输运理论
5.2 两端量子器件
5.3 多端量子器件
第六章:单电子器件
6.1 半导体量子点中的库仑阻塞效应
6.2 量子点旋转门器件
6.3 单电子晶体管
6.4 量子点自动原胞机
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第七章 高电子迁移率晶体管( HEMT )
1. 高电子迁移率晶体管( HEMT )材料结构的基本物理特性
1.1 异质结界面势阱和二维电子气的形成
1.2 势阱中二维电子气的量子化状态
1.3 势阱中二维电子气密度


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